台湾方晶科技FL8205A,TSSOP-8封装,双N通道塑封功率MOSFET。
V(BR)DSS=20V,ID=6.0A
RDS(on)MAX:0.025 Ω @ 4.5V;0.034 Ω @ 2.5V
特征 晶体管功率MOSFET 优秀的RDS(on) 低栅电荷 高功率和电流处理能力 表面贴装封装
应用 电池保护 负荷开关 电源管理
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