FL8205S


台湾方晶科技FL8205S,SOT-23-6L封装,双N通道塑封功率MOSFET。

V(BR)DSS=20V,ID=5.0A

RDS(on)MAX:0.025 Ω @ 4.5V;0.030 Ω @ 2.5V


特征
晶体管功率MOSFET
优秀的RDS(on)
低栅电荷
高功率和电流处理能力
表面贴装封装

应用
电池保护
负荷开关
电源管理

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